特許

J-GLOBAL ID：200903004434272646

プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法

発明者： 木村 忠司 ,  吉田 善一
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-184441
公開番号（公開出願番号）：特開平8-050995
出願日： 1994年08月05日
公開日（公表日）： 1996年02月20日
要約：

【要約】【目的】 高密度のプラズマで大面積の基板でも均一に処理することのできるプラズマ処理装置および処理方法を提供する。【構成】 真空排気系2と反応ガス導入用のガス導入口5を有する真空容器1と、真空容器1の一部として設置された誘電体板8に、マイクロ波9を輸送するための同軸導波管を形成する中心導体6を、誘電体板8の真空容器1外側に被処理基板4と対向するように設置し、かつ、同軸導波管の外導体7を、誘電体板8の外周側面が同軸導波管の中心導体6と外導体7がなす空隙と連通するようにそれぞれ設置する。

請求項（抜粋）：

真空排気手段と反応ガス導入口を有する真空容器と、前記真空容器内に設置された被処理基板を保持する保持手段と、前記被処理基板と対向する位置に前記真空容器の一部として設置された誘電体板と、前記誘電体板の真空容器外側に前記被処理基板と対向するように設けられた同軸導波管の中心導体と、前記誘電体板の外周側面が前記同軸導波管の中心導体と外導体がなす空隙と連通するように設置した同軸導波管の外導体と、前記同軸導波管に接続されたマイクロ波電力供給手段とを備えたプラズマ処理装置。

IPC (6件)：

H05H 1/46 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H01L 21/31