特許
J-GLOBAL ID：200903004434791066
電界効果トランジスタ
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-298779
公開番号（公開出願番号）：特開平5-136178
出願日： 1991年11月14日
公開日（公表日）： 1993年06月01日
要約：
【要約】【目的】超高速集積回路に最適な高速の化合物半導体電界効果トランジスタで従来技術においてメサ表面の縁近くでゲート長が短くなり、ゲート長にトランジスタ内で不均一が生じるという問題点を解決する。【構成】チャネル層から上に張り出す高濃度n型GaAsを形成し、その高濃度n型GaAsの側面にSiO2 側壁を形成し、その側壁の間にゲート電極を形成する製造工程で作製する電界効果トランジスタにおいて、高濃度n型GaAsの底面の縁22,23の幅を、メサ表面の縁21の幅より小さく形成するレイアウトを用いてゲート長を短縮する。
請求項（抜粋）：
第一導電型の第一の高濃度半導体層からなるソースドレイン領域がチャネルとなる第一導電型の第二の半導体層より上部にも形成され、前記第一の高濃度半導体層とその前記第一の高濃度半導体層の側面に形成される絶縁体からなる側壁とその側壁の間のゲート電極からなる電界効果トランジスタにおいて、前記第一の高濃度半導体層の底面の縁を、チャネルの縁よりも外部に形成することを特徴とする電界効果トランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
