特許

J-GLOBAL ID：200903004437023124

配線パターン形成装置および半導体装置の製造方法

発明者： 有賀 幸二
出願人/特許権者： セイコーエプソン株式会社
代理人 (3件)： 上柳 雅誉 ,  藤綱 英吉 ,  須澤 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-379915
公開番号（公開出願番号）：特開2005-142491
出願日： 2003年11月10日
公開日（公表日）： 2005年06月02日
要約：

【課題】 工程数の増大を抑制しつつ、配線パターンを精度よく形成する。【解決手段】 配線パターン3に対応したスリット7をマスク6に設け、マスク6を介しビーム状の導電性粒子5を絶縁層2上に着弾させることにより、コンタクト領域4が設けられた配線パターン3を絶縁層2上に形成する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

導電性粒子を引き出す導電性粒子引出部と、 前記引き出された導電性粒子を帯電させる帯電部と、 前記導電性粒子をビーム状に収束させる収束部と、 配線パターンデータを取得する配線パターンデータ取得部と、 前記配線パターンデータに基づいて、前記ビーム状に収束された導電性粒子を走査する走査部とを備えることを特徴とする配線パターン形成装置。

IPC (3件)：

H01L21/285 ,  C23C14/32 ,  H01L21/3205

FI (3件)：

H01L21/285 Z ,  C23C14/32 F ,  H01L21/88 B

Fターム (23件)：

4K029AA08 ,  4K029AA24 ,  4K029BA01 ,  4K029BA03 ,  4K029BA08 ,  4K029BA35 ,  4K029BB03 ,  4K029BD02 ,  4K029CA03 ,  4K029DE06 ,  4K029GA01 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB04 ,  4M104BB18 ,  4M104DD36 ,  4M104DD78 ,  5F033HH03 ,  5F033HH08 ,  5F033HH11 ,  5F033HH19 ,  5F033PP20 ,  5F033QQ73

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 原子線ホログラフィを用いる原子線パターン形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-190739   出願人：日本電気株式会社