特許
J-GLOBAL ID：200903004438046977
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-349307
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201873
出願日： 1993年12月28日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：
【要約】【目的】本発明は、熱処理を抑制する必要のあるバイポーラトランジスタの製造方法において、不純物を効果的にゲッタリングできるようにすることを最も主要な特徴とする。【構成】たとえば、トレンチアイソレーションを用いるバイポーラトランジスタの場合、トレンチ形成予定領域部分に炭素をイオン注入してゲッタリングサイト17を形成する。そして、このゲッタリングサイト17により、半導体基板の表面領域の酸素や金属不純物などをゲッタリングさせる。また、ゲッタリングの後、ゲッタリングサイト17をエッチングして、過剰な酸素や金属不純物を含んだ領域を除去する。しかる後、酸素濃度が局部的に減少された部分へ素子を形成することで、収率性が高く、安定に製造できるようになっている。
請求項（抜粋）：
半導体基板の主表面上に少なくとも1つ以上の素子を含む半導体装置の製造方法において、前記半導体基板の主表面より、前記半導体基板中にゲッタリング効果をもつ不純物イオンを注入する工程と、前記不純物イオンの注入後に、熱処理を施してゲッタリングを行う工程と、前記熱処理の後、少なくとも前記不純物イオンの注入を行った領域の一部を除去する工程とからなることを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (4件)：
H01L 21/322
, H01L 21/265
, H01L 21/331
, H01L 29/73
H01L 21/265 A
, H01L 29/72
