特許
J-GLOBAL ID：200903004449722630
半導体装置の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
鈴江 武彦 (外6名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-183339
公開番号（公開出願番号）：特開平10-027795
出願日： 1996年07月12日
公開日（公表日）： 1998年01月27日
要約：
【要約】【課題】半導体基板上に形成された酸化膜は、窒化処理を施される前に大気に晒され有機物等のガス状不純物が酸化膜表面に付着する場合があり、このガス状不純物が付着した状態で窒化されると半導体装置の特性の劣化を発生させた。【解決手段】半導体基板上に酸化膜を形成した後、オキシナイトライド化を行う装置内で前記酸化膜を窒化する前に少なくとも酸素を含むガスによる熱処理を行ない、酸化膜に付着した不純物を除去する。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に酸化膜を形成する工程と、前記酸化膜に窒素原子を導入する工程とを具備する半導体装置の製造方法において、前記窒素原子を導入する工程の前に同一炉内で前記酸化膜が形成された前記半導体基板を酸素を含んだ雰囲気中で加熱することを特徴とする半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/318
, H01L 21/324
H01L 21/318 C
, H01L 21/324 Z
