特許
J-GLOBAL ID:200903004449895909

エレクトロルミネッセンス素子及びその製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 飯田 敏三
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2003-347519
公開番号(公開出願番号):特開2005-116284
出願日: 2003年10月06日
公開日(公表日): 2005年04月28日
要約:
【課題】 本発明は、分散型EL素子の発光時の振動や雑音の発生を改善するものである。特に、EL素子の大面積化や高輝度化に伴い増加する振動や雑音を改善することを目的とする。さらに、振動や雑音を改善するために必要な微粒子蛍光体を有する発光層の薄層化技術を提供するとともに、連続搬送する支持体上に、広幅で各機能層を逐次塗布又は同時(重層)塗布することで製造効率を向上させることを目的とする。【解決手段】 少なくとも対向する電極対と該電極対に狭持されたエレクトロルミネッセンス蛍光体粒子を含有する発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子において、緩衝材層及び/又は該電極対の外側に絶縁層を介して設けた補償電極層を有し、且つ前記発光層が0.5μm〜30μmの膜厚の範囲であるエレクトロルミネッセンス素子。【選択図】 図1
請求項1:
少なくとも対向する電極対と該電極対に狭持されたエレクトロルミネッセンス蛍光体粒子を含有する発光層を有するエレクトロルミネッセンス素子において、緩衝材層及び/又は該電極対の外側の片側または両側に絶縁層を介して設けた補償電極層を有し、且つ前記発光層が0.5μm〜30μmの膜厚の範囲であることを特徴とするエレクトロルミネッセンス素子。
IPC (2件):
H05B33/14 ,  H05B33/10
FI (2件):
H05B33/14 Z ,  H05B33/10
Fターム (3件):
3K007AB18 ,  3K007DA04 ,  3K007FA01
引用特許:
出願人引用 (10件)
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審査官引用 (3件)

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