半導体素子の配線構造及びこれの形成方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (4件)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-016830
公開番号（公開出願番号）：特開2008-193078
出願日： 2008年01月28日
公開日（公表日）： 2008年08月21日
要約：

【課題】簡単な工程を通じて形成しうる半導体素子の配線及びそれの製造方法が開示される。【解決手段】配線は基板上に位置し、開口部を含む層間絶縁膜と、前記開口部内部を満たし、ソースガスの反応を用いる蒸着工程によって形成された第1タングステンからなるコンタクトプラグと、前記ソースガスの反応を用いる蒸着工程によって形成された第1タングステン及び物理気相蒸着工程によって形成された第2タングステンの積層された形状を有し、前記コンタクトプラグの上部面と接触する導電性パターンを含む。前記配線を形成するとき、平坦化工程が要求されない。なお、前記導電性パターンの表面モルフォルジー特性が優れている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

基板上に位置し、開口部を含む層間絶縁膜と、前記開口部の内部を満たし、ソースガスの反応を用いる蒸着工程によって形成された第1タングステンからなるコンタクトプラグと、前記ソースガスの反応を用いる蒸着工程によって形成された第1タングステン及び物理気相蒸着工程によって形成された第2タングステンの積層された形状を有し、前記コンタクトプラグの上部面と接触する導電性パターンと、を含むことを特徴とする半導体素子の配線構造。

IPC (4件)：

H01L 21/768 , H01L 23/522 , H01L 21/28 , H01L 21/285

FI (3件)：

H01L21/90 D , H01L21/28 301R , H01L21/285 C

Fターム (44件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104BB14 , 4M104BB18 , 4M104BB30 , 4M104BB40 , 4M104CC01 , 4M104DD04 , 4M104DD16 , 4M104DD43 , 4M104DD45 , 4M104FF18 , 4M104FF22 , 4M104GG16 , 5F033HH18 , 5F033HH19 , 5F033HH33 , 5F033JJ01 , 5F033JJ04 , 5F033JJ18 , 5F033JJ19 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033LL04 , 5F033MM05 , 5F033MM08 , 5F033MM13 , 5F033NN03 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033PP03 , 5F033PP04 , 5F033PP06 , 5F033PP15 , 5F033PP33 , 5F033QQ09 , 5F033QQ37 , 5F033QQ48 , 5F033RR04 , 5F033RR06 , 5F033TT08 , 5F033VV16 , 5F033WW02 , 5F033XX33

引用特許：

出願人引用 (1件)

韓国公開特許2005-52630号明細書

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