特許

J-GLOBAL ID：200903004454148569

半導体ウェーハのホウ素拡散方法

発明者： 山本 正彦 ,  佐藤 淳
出願人/特許権者： コマツ電子金属株式会社
代理人 (1件)： 猪熊 克彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-291201
公開番号（公開出願番号）：特開平7-122514
出願日： 1993年10月26日
公開日（公表日）： 1995年05月12日
要約：

【要約】【目的】半導体単結晶に形成されるパターンの二重化を招くことのない半導体ウェーハへのホウ素拡散方法を提供する。【構成】半導体ウェーハ1表面にホウ素を含有する塗布液2を塗布し、該塗布液2中のホウ素を熱拡散によって半導体ウェーハ1内に拡散させる半導体ウェーハのホウ素拡散方法において、塗布液2として粘度10cp以下のものを用い、該塗布液2を半導体ウェーハ1表面に厚さ1000Å以下の膜厚で塗布することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

半導体ウェーハ表面にホウ素を含有する塗布液を塗布し、該塗布液中の前記ホウ素を熱拡散によって前記半導体ウェーハ内に拡散させる半導体ウェーハのホウ素拡散方法において、前記塗布液として粘度10cp以下のものを用い、該塗布液を前記半導体ウェーハ表面に厚さ1000Å以下の膜厚で塗布することを特徴とする半導体ウェーハのホウ素拡散方法。