特許
J-GLOBAL ID：200903004456374841
半導体加速度センサ
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安藤 淳二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-264893
公開番号（公開出願番号）：特開2003-075466
出願日： 2001年08月31日
公開日（公表日）： 2003年03月12日
要約：
【要約】【課題】 最大定格を超過するような加速度が作用した場合に於いても、安定して動作する半導体加速度センサを提供すること。【解決手段】 半導体基板1に、浮遊状態で設けた錘部21と、一端が錘部21と弾性的に連結され他端が半導体基板1に支持された架橋部24と、錘部21の側壁に突設された可動電極プレート部22を有すると共に、可動電極プレート部22と容量結合するように対向し半導体基板1に片持ち支持された固定電極プレート部23a、23bと、を具備し、作用した加速度によって可動電極プレート部22と固定電極プレート部23a、23bに生じる距離変化を電気量に変換して加速度を検出する半導体加速度センサである。可動電極プレート部22又は固定電極プレート部23a、23bの少なくとも一方に吸着防止部25が形成されている。
請求項（抜粋）：
半導体基板に、浮遊状態で設けられて作用する加速度に応じて前記半導体基板と相対的に変位する錘部と、一端が前記錘部と弾性的に連結され他端が前記半導体基板に支持された架橋部と、前記錘部の側方に突設された可動電極プレート部と、前記可動電極プレート部と容量結合するように間隔をおいて対向し前記半導体基板に片持ち支持された固定電極プレート部と、を具備し、作用した加速度によって前記可動電極プレート部と前記固定電極プレートに生じる距離変化を電気量に変換して加速度を検出する半導体加速度センサにおいて、前記可動電極プレート部又は前記固定電極プレート部の少なくとも一方に吸着防止部が形成されていることを特徴とする半導体加速度センサ。
IPC (2件)：
FI (2件)：
G01P 15/125
, H01L 29/84 Z
4M112AA02
, 4M112BA07
, 4M112CA26
, 4M112DA02
, 4M112DA06
, 4M112DA11
, 4M112EA03
, 4M112EA04
, 4M112EA06
, 4M112EA07
, 4M112FA07
, 4M112FA20
