特許

J-GLOBAL ID：200903004457135352

半導体装置

発明者： 廣瀬 裕 ,  井上 薫 ,  池田 義人
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 前田 弘 (外7名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-142410
公開番号（公開出願番号）：特開2003-332356
出願日： 2002年05月17日
公開日（公表日）： 2003年11月21日
要約：

【要約】【課題】 窒化物半導体が酸化されてなるゲート絶縁膜を有する半導体装置において、電極・絶縁膜界面の電気的特性を安定化させると共にゲートリーク電流の発生を防止する。【解決手段】 基板11上に、バッファ層12、チャネル層13及びキャリア供給層14が順次形成されている。キャリア供給層14の上に、窒化物半導体が酸化されてなる絶縁性酸化物層16が形成されている。絶縁性酸化物層16の上に、例えば錫をドープしたインジウム酸化物よりなる金属酸化物電極17が形成されている。金属酸化物電極17の上に、白金層と金層との積層体からなる金属電極18が形成されている。

請求項（抜粋）：

窒化物半導体が酸化されてなる絶縁性酸化物層と、前記絶縁性酸化物層の上に形成されており、導電性金属酸化物よりなる電極とを備えていることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812

Fターム (15件)：

5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ04 ,  5F102GJ10 ,  5F102GK04 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM08 ,  5F102GQ01 ,  5F102HC01 ,  5F102HC10 ,  5F102HC11 ,  5F102HC21