特許

J-GLOBAL ID：200903004460250022

絶縁ゲート型電界効果半導体装置

発明者： 野辺 武 ,  秋山 茂夫
出願人/特許権者： 松下電工株式会社
代理人 (1件)： 松本 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-172600
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021803
出願日： 1991年07月12日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【目的】 オン抵抗の増大を伴わずに出力容量の低減が図れる実用的な絶縁ゲート型電界効果半導体装置を提供する。【構成】 半導体基板2におけるチャネル形成域CHの上方に絶縁膜8を介してゲート電極7が設けられてなる絶縁ゲート型電界効果半導体装置において、前記ゲート電極7にダイオード15が直列に接続されていることを特徴とする絶縁ゲート型電界効果半導体装置1。

請求項（抜粋）：

半導体基板におけるチャネル形成域の上方に絶縁膜を介してゲート電極が設けられてなる絶縁ゲート型電界効果半導体装置において、前記ゲート電極にダイオードが直列に接続されていることを特徴とする絶縁ゲート型電界効果半導体装置。

FI (2件)：

H01L 29/78 321 X ,  H01L 29/78 321 K

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平3-071673
  
• 特開昭64-082708
  
• 特開平3-071673