特許
J-GLOBAL ID：200903004465357267
半導体発光素子
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中野 雅房
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-255759
公開番号（公開出願番号）：特開2000-091628
出願日： 1998年09月09日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：
【要約】【課題】 セラミック基板の上にInxGayAlzN系の半導体発光素子を形成することにより、安価なInxGayAlzN系半導体発光素子を作製可能にする。【解決手段】 アルミナ、SiC・BeO等のセラミック(磁器焼結体)基板2の表面に金属膜3を形成し、金属膜3の上の一部を除く領域にZnO膜4を形成してZnO膜4をc軸配向させる。ついで、ZnO膜4の上にp型GaN層5とn型GaN層6をエピタキシャル成長させる。この後、金属膜3の一部露出した領域の上に下部電極パッド7を設け、n型GaN層6の上面に部分的に上部電極8を形成する。
請求項（抜粋）：
セラミック基板上にc軸配向したZnO膜を形成し、このZnO膜の上にInxGayAlzN(ただし、x+y+z=1、0≦x≦1、0≦y≦1、0≦z≦1)で表わされる化合物半導体層を形成したことを特徴とする半導体発光素子。
Fターム (15件)：
5F041AA31
, 5F041AA40
, 5F041CA02
, 5F041CA04
, 5F041CA12
, 5F041CA13
, 5F041CA14
, 5F041CA34
, 5F041CA40
, 5F041CA67
, 5F041CA82
, 5F041CA92
, 5F041CA98
, 5F041DA07
, 5F041FF01
