特許
J-GLOBAL ID：200903004466120066
半導体製造装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
森 哲也 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-323280
公開番号（公開出願番号）：特開平5-160041
出願日： 1991年12月06日
公開日（公表日）： 1993年06月25日
要約：
【要約】【目的】半導体製造装置の反応室内で発生したフレークが当該反応室内の一部分のみに集中して付着することを防止すると共に、パーティクルの発生を防止した半導体製造装置を提供する。【構成】半導体基板上に成膜を行う半導体製造装置20の反応室1の半導体基板入口3及び出口4の反応室側の周辺部に、丸みを設けるか、又は面取りした。
請求項（抜粋）：
半導体基板上に成膜を行う半導体製造装置において、半導体基板の入口及び出口の反応室側の周辺部の形状に、丸みを設けるか又は面取りしたことを特徴とする半導体製造装置。
IPC (2件)：
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