III族窒化物半導体基板

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (3件)：宮崎昭夫 , 石橋政幸 , 緒方雅昭
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-344459
公開番号（公開出願番号）：特開2007-150106
出願日： 2005年11月29日
公開日（公表日）： 2007年06月14日
要約：

【課題】III族窒化物半導体系HJFETを作製する際、ゲート電極を形成する電子供給層の表面を清浄状態に保つこと、同時に、ゲート電極とドレイン電極間に存在する電子供給層の表面を被覆する表面保護膜との界面の状態を制御することに有効な構造を持つIII族窒化物半導体基板の提供。【解決手段】III族窒化物半導体系HJFETに利用される、ヘテロ接合を含むIII族窒化物半導体層構造の形成後、大気に曝すことなく、引き続き、表面保護膜として利用可能な窒化物の絶縁膜を形成し、この窒化物の絶縁膜とIII族窒化物半導体層構造との界面における不純物濃度を、1×1017 atoms/cm3以下に抑えているIII族窒化物半導体基板とする。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

ヘテロ接合を含み、キャリア供給層/チャンネル層の構造を有し、ヘテロ接合電界効果型トランジスタの製造に利用されるIII族窒化物半導体層構造と、該III族窒化物半導体層構造上に無機絶縁膜を有し、前記無機絶縁膜は、前記III族窒化物半導体層構造の表面に対する表面保護膜として利用可能であり、前記無機絶縁膜と前記III族窒化物半導体層構造との界面における、III族窒化物半導体中の不純物濃度が、1×1017 atoms/cm3以下であることを特徴とするIII族窒化物半導体基板。

IPC (3件)：

H01L 29/812 , H01L 29/778 , H01L 21/338

FI (1件)：

H01L29/80 H

Fターム (16件)：

5F102FA05 , 5F102GB01 , 5F102GC01 , 5F102GD01 , 5F102GJ02 , 5F102GJ10 , 5F102GK04 , 5F102GL04 , 5F102GM04 , 5F102GM07 , 5F102GQ01 , 5F102GR01 , 5F102GV06 , 5F102GV08 , 5F102GV09 , 5F102HC01

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