特許
J-GLOBAL ID:200903004467873971
ハイブリッド電力増幅器
発明者:
,
出願人/特許権者:
代理人 (1件):
田澤 博昭 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2000-140648
公開番号(公開出願番号):特開2001-320252
出願日: 2000年05月12日
公開日(公表日): 2001年11月16日
要約:
【要約】【課題】 特性のばらつきを低減すると共に、線路幅を大きくすることなく小型化が図れるハイブリッド電力増幅器を得る。【解決手段】 能動素子12の低い入出力インピーダンスをマイクロストリップ線路13によりある程高いインピーダンスに変成した後に、ワイヤ19を用いて残りの整合回路18を含む誘電体基板15,16に接続することで、ワイヤ19のインダクタンスの増幅器全体への影響を小さくし、ワイヤ長のばらつきによる増幅器全体の特性のばらつきを抑圧する。また、マイクロストリップ線路13の裏面を切削し、金属14を充填することで、線路幅を大きくすることなく低インピーダンスの線路を得て、回路の小型化を図る。
請求項1:
能動素子の入出力端子にマイクロストリップ線路が接続され、そのマイクロストリップ線路の下部に裏面から所定の深さまで切削され、その切削部分に金属が充填されることでその能動素子に対する整合回路の一部として機能する低インピーダンス線路を構成した半導体基板と、上記半導体基板のマイクロストリップ線路の一端にワイヤにより接続された残りの整合回路を含む第1の誘電体基板と、上記半導体基板のマイクロストリップ線路の他端にワイヤにより接続された残りの整合回路を含む第2の誘電体基板とを備えたハイブリッド電力増幅器。
IPC (3件):
H03F 3/60
, H03F 3/21
, H03F 3/68
FI (3件):
H03F 3/60
, H03F 3/21
, H03F 3/68 B
Fターム (49件):
5J067AA04
, 5J067AA41
, 5J067CA14
, 5J067CA54
, 5J067CA92
, 5J067FA16
, 5J067HA25
, 5J067HA33
, 5J067KA00
, 5J067KA12
, 5J067KA29
, 5J067KA68
, 5J067KS01
, 5J067KS11
, 5J067KS35
, 5J067LS12
, 5J067MA19
, 5J067QA04
, 5J067QS06
, 5J069AA04
, 5J069AA41
, 5J069CA14
, 5J069CA54
, 5J069CA92
, 5J069FA16
, 5J069HA25
, 5J069HA33
, 5J069KA00
, 5J069KA12
, 5J069KA29
, 5J069KA68
, 5J069KC03
, 5J069KC04
, 5J069MA19
, 5J069QA04
, 5J091AA04
, 5J091AA41
, 5J091CA14
, 5J091CA54
, 5J091CA92
, 5J091FA16
, 5J091HA25
, 5J091HA33
, 5J091KA00
, 5J091KA12
, 5J091KA29
, 5J091KA68
, 5J091MA19
, 5J091QA04
引用特許:
審査官引用 (6件)
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高周波回路
公報種別:公開公報
出願番号:特願平10-250967
出願人:三菱電機株式会社
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-264770
出願人:株式会社東芝
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特開昭63-176001
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特開平3-261202
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特開昭63-086904
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半導体装置
公報種別:公開公報
出願番号:特願平6-067127
出願人:松下電器産業株式会社
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