特許
J-GLOBAL ID：200903004468849586
配線基板の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
奥田 誠 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-232253
公開番号（公開出願番号）：特開平11-074636
出願日： 1997年08月28日
公開日（公表日）： 1999年03月16日
要約：
【要約】【課題】 下部配線層やビアを腐食するクロム酸を用いて絶縁樹脂層を粗化する場合にも、下部配線層やビアをクロム酸による腐食から保護しつつ絶縁樹脂層を粗化できる配線基板の製造方法を提供すること。【解決手段】 下部配線層106上に突設されたビア107の表面にスズメッキ層107sを形成し、ビア107の周囲に絶縁層111を形成する。その後、絶縁層111の上面111aとビア107の上面107aとが略同一面となるようにバフ研磨等により整面する。さらに、ビア107の上面107aにスズメッキ107tを施し、整面された絶縁層の上面111aにクロム酸を含む粗化薬液を接触させて粗化し粗化面111bを形成する。ついで、スズメッキ層107tを除去してビア上面107aを露出させる。さらに粗化面111b及びビア上面107a上に、セミアディティブ法により、上部配線層116や上部ビア11を形成し、配線基板200を形成してゆく。
請求項（抜粋）：
上部配線層と下部配線層とを接続するためのビアを有する配線基板の製造方法であって、少なくとも上記下部配線層上に突設されたビアの表面にスズまたはハンダメッキを施す工程と、少なくとも上記ビアの周囲に絶縁層を形成する工程と、該絶縁層の上面とビアの上面とが略同一面となるように整面する工程と、上記ビア上面にスズまたはハンダメッキを施す工程と、上記整面された絶縁層の上面にクロム酸を含む粗化薬液を接触させて粗化する工程と、を備えることを特徴とする配線基板の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H05K 3/18 K
, H05K 3/46 E
