アモルファスシリコン薄膜層の処理方法及び処理装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和 (外1名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-611312
公開番号（公開出願番号）：特表2002-541679
出願日： 2000年04月05日
公開日（公表日）： 2002年12月03日
要約：

【要約】【課題】水素化アモルファスシリコンの堆積薄膜層をエネルギーの取り入れにより処理し、薄膜層の選択した物理化学的性質を改質する。【解決手段】アモルファスシリコンの少なくとも光学的吸収バンド内の波長の放射線を放出し、かつ、少なくとも50ns〜500nsの処理パルスを発生し得る光源で薄膜層に照射し、それにより、ほぼ1.5〜10のファクタで薄膜層の電子移動度(μ)を高めることができる。

請求項（抜粋）：

アモルファスシリコン薄膜層を用いた電子素子、特にアクティブ液晶マトリックスを用いた平面スクリーン用トランジスタの処理方法であって、 a)所定の材料の基板上に堆積し、少なくとも、シリコン以外に選択した元素を含むアモルファスシリコンの薄膜層を形成する工程と、 b)このように形成した薄膜層の少なくとも一の選択した物理化学的性質を改質するために前記薄膜層にエネルギーを加えて処理する工程とを有し、前記処理工程b)が、 b1)少なくともアモルファスシリコンの光学的吸収バンド内の波長の放射線を放出するのに適した光源であって、少なくとも50ns〜500nsの長さの処理パルスを発生し得る光源を設け、 b2)ほぼ1.5〜10のファクタにより薄膜層の電子移動度を高めるため、前記元素を含むアモルファスシリコン薄膜層を前記光源により照射することを特徴とする電子素子の処理方法。

IPC (9件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/00 342 , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 21/336 , H01L 29/43 , H01L 29/786

FI (8件)：

H01L 21/20 , G02F 1/1368 , G09F 9/00 338 , G09F 9/00 342 Z , G09F 9/30 338 , G09F 9/35 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/62 G

Fターム (76件)：

2H092HA06 , 2H092JA24 , 2H092KA04 , 2H092KA05 , 2H092KA18 , 2H092KB04 , 2H092MA08 , 2H092MA30 , 2H092NA21 , 2H092PA01 , 4M104AA01 , 4M104AA09 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB13 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB39 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD91 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104EE17 , 4M104GG09 , 5C094AA42 , 5C094AA43 , 5C094BA03 , 5C094BA43 , 5C094CA19 , 5C094EA04 , 5C094EA07 , 5C094GB10 , 5F052AA02 , 5F052AA11 , 5F052AA17 , 5F052BB07 , 5F052CA09 , 5F052CA10 , 5F052DA02 , 5F052DB02 , 5F052DB03 , 5F052EA06 , 5F052EA15 , 5F052FA19 , 5F052JA01 , 5F052JA02 , 5F110AA01 , 5F110AA06 , 5F110AA17 , 5F110BB01 , 5F110CC07 , 5F110DD01 , 5F110DD02 , 5F110DD13 , 5F110DD14 , 5F110DD17 , 5F110EE04 , 5F110EE06 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110GG45 , 5F110GG47 , 5F110HK09 , 5F110HK14 , 5F110PP03 , 5F110PP04 , 5F110PP05 , 5F110PP11 , 5G435AA17 , 5G435BB12 , 5G435CC09 , 5G435KK05 , 5G435KK09 , 5G435KK10

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