特許

J-GLOBAL ID：200903004476219508

半導体集積回路

発明者： 久原 毅彦
出願人/特許権者： 川崎製鉄株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-158833
公開番号（公開出願番号）：特開平5-013672
出願日： 1991年06月28日
公開日（公表日）： 1993年01月22日
要約：

【要約】【目的】 ノイズの発生を抑制すると共に、回路面積を小さくすることのできる半導体集積回路を提供すること。【構成】 基板上にセルたるpMOSトランジスタ20とnMOSトランジスタ22を横に平行に配置させている。ここで、両トランジスタの配置方向に沿って、その一側部近傍に略帯状の電源ライン34をアルミ蒸着により形成し、さらに、その電源ライン34の上方にその電源ライン34を覆うようにして絶縁層35を介してアルミ蒸着により略帯状のアースライン36が形成されている。そして、両ライン34,36は、共に略同一幅を有し、上下方向で一致(同一線上)するように形成している。これにより両ライン間にはバイパスコンデンサが形成される。

請求項（抜粋）：

基板上に複数のセルと、そのセルに接続される電源ライン並びにアースラインを備えた半導体集積回路において、前記電源ラインと前記アースラインの内、一方のラインを他方のラインの上方にそれを覆うようにしてに所定間隔を隔てて絶縁状態で配置してなることを特徴とする半導体集積回路。