特許
J-GLOBAL ID：200903004484211974
不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
深見 久郎 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-188120
公開番号（公開出願番号）：特開平6-037326
出願日： 1992年07月15日
公開日（公表日）： 1994年02月10日
要約：
【要約】【目的】 層間絶縁膜のリフロー時における酸化種の拡散を防止することにより、メモリセルの特性に影響を与えない不揮発性半導体メモリおよびその製造方法を提供する。【構成】 電荷蓄積電極3と制御電極6の側面側において、第3の絶縁膜9を介して耐酸化性膜20が形成されている。この耐酸化性膜20により、層間絶縁膜12のリフローの熱処理時に酸化種の拡散を防止する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板の上に第1の絶縁膜を介して形成された電荷蓄積電極と、この電荷蓄積電極の上に第2の絶縁膜を介して形成された制御電極と、この制御電極の上面から前記半導体基板の表面の所定箇所にかけて前記電荷蓄積電極の側面および前記制御電極の側面を覆うように形成された第3の絶縁膜と、前記電荷蓄積電極と前記制御電極の側面側であって、前記第3の絶縁膜を介して設けられた耐酸化性膜と、前記電荷蓄積電極を両側から挟む位置であって、前記半導体基板の表面から所定の深さに形成された不純物領域と、を備えた不揮発性半導体記憶装置。
IPC (3件)：
H01L 29/788
, H01L 29/792
, H01L 27/115
H01L 29/78 371
, H01L 27/10 434
