特許

J-GLOBAL ID：200903004486720400

光半導体装置およびその製造方法

発明者： 山田 智行 ,  二神 友洋
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (3件)： 中島 司朗 ,  松村 修治 ,  小林 国人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-229862
公開番号（公開出願番号）：特開2008-053564
出願日： 2006年08月25日
公開日（公表日）： 2008年03月06日
要約：

【課題】光半導体装置の発光素子配設部における、金属メッキされた光反射領域において、金属メッキが変色するのを防止し、発光素子近傍領域における光の反射効率の低下を防ぐことが可能な光半導体装置及びその製造方法を提供する。【解決手段】発光素子12が配設された発光素子配設部の少なくとも一部が、金属塩化合物の存在下で生成された光透過性の封止樹脂14で封止され、前記少なくとも一部における、封止樹脂14に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含む第一金属被覆層21を有する光半導体装置100であって、第一金属被覆層21における封止樹脂14に対向する領域が、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さくない金属を含む第二金属被覆層22で被覆されている光半導体装置100。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

発光素子が配設された発光素子配設部の少なくとも一部が、金属塩化合物の存在下で生成された光透過性の樹脂で封止され、前記少なくとも一部における、前記樹脂に近接する領域に、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さい金属を含む第一金属被覆層を有する光半導体装置であって、 第一金属被覆層における前記樹脂に対向する領域が、前記金属塩化合物の金属よりも標準電極電位が小さくない金属を含む第二金属被覆層で被覆されている ことを特徴とする光半導体装置。

IPC (1件)：

H01L 33/00

FI (1件)：

H01L33/00 N

Fターム (9件)：

5F041AA44 ,  5F041DA03 ,  5F041DA07 ,  5F041DA12 ,  5F041DA17 ,  5F041DA26 ,  5F041DA29 ,  5F041DA45 ,  5F041DA72