特許
J-GLOBAL ID：200903004489796423
カルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法及びそれを有する太陽電池の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
瀧野 秀雄 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-082084
公開番号（公開出願番号）：特開平11-284209
出願日： 1998年03月27日
公開日（公表日）： 1999年10月15日
要約：
【要約】【課題】 平面方向の組成の均一性がよく且つ表面粗度が小さいカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を再現性よく低コストで製造するための方法及びそれを有するエネルギー変換効率の向上させた太陽電池の製造方法を提供する。【解決手段】 基板の上にInの酸化物膜、Gaの酸化物膜及び金属Cu膜を成膜して積層膜を形成し、この積層膜をセレン雰囲気中において例えば400〜550°Cに加熱してカルコパイライト構造化合物半導体薄膜を製造する。前記Inの酸化物は、例えば、In2O3であり、そして、Gaの酸化物は、例えば、Ga2O3である。前記Inの酸化物膜、Gaの酸化物膜及び金属Cu膜は、好適には、スパッタリングにより成膜される。前記セレン雰囲気は、セレン単体の加熱によってセレン蒸発を発生させることによりつくられる。前記基板は、例えば、Mo、Cr、Ta、W及びTiから選ばれる少なくとも1種の金属により構成される単一膜又は積層膜を表面に有するソーダライムガラス板である。
請求項（抜粋）：
基板上にInの酸化物膜、Gaの酸化物膜及び金属Cu膜を成膜して積層膜を形成し、この積層膜をセレン雰囲気中において加熱することを特徴とするカルコパイライト構造化合物半導体薄膜の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/04 E
, C23C 14/08 N
