半導体装置の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-107271
公開番号（公開出願番号）：特開平5-121568
出願日： 1992年04月27日
公開日（公表日）： 1993年05月18日
要約：

【要約】【目的】半導体装置の製造方法に関し、微細な段差の上でも平坦で信頼性のある絶縁膜によって被覆できる製造方法を提供する。【構成】シラン系ガスと水を原料ガスとしてCVD法によりシリコン酸化膜を形成する。また、この原料ガスに有機シランガス、あるいは、PH3 ,B2 H6 ,AsH3 等の流動性不純物を添加して平坦なシリコン酸化膜を形成する。また、このシラン系ガス、有機シランガス、水の少なくとも1つをプラズマ、光等によって連続的またはパルス的に励起して活性化し緻密で被覆性の良好なシリコン酸化膜を形成する。

請求項（抜粋）：