特許

J-GLOBAL ID：200903004499482591

半導体装置の製造方法

発明者： 大迫 雅之
出願人/特許権者： ソニー株式会社
代理人 (1件)： 田辺 恵基
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-349826
公開番号（公開出願番号）：特開平7-201841
出願日： 1993年12月30日
公開日（公表日）： 1995年08月04日
要約：

【要約】【目的】本発明は、半導体装置の製造方法において、後工程時のエツチングによつても膜減りが少ない素子分離膜を形成する。【構成】シリコン酸化膜上に形成された窒素含有膜を窓開けして取り除き、窓開けされた領域に窒素を導入する。続いて熱酸化により窓開けされた領域に素子分離膜として窒素化シリコン酸化膜を成長させる。この窒素化シリコン酸化膜は後工程のエツチング時に除去対象となる熱酸化膜や窒化シリコン膜との間で選択比を比較的大きくとれ、膜減りのおそれを一段と低減することができる。

請求項（抜粋）：

選択酸化によつて形成された素子分離領域を有する半導体装置の製造方法において、シリコン酸化膜上に形成された窒素含有膜を窓開けして取り除く工程と、上記窓開けされた領域に窒素を導入する工程と、上記窒素が導入されたシリコン層を熱酸化し、素子分離膜として窒素化シリコン酸化膜を成長させる工程とを具えることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/76

FI (2件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/76 M

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 特開平4-346229
  
• 特開昭63-031124
  
• 特開昭58-014526