特許
J-GLOBAL ID：200903004502812816
アバランシエフオトダイオードのバイアス回路
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松本 孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-170171
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021831
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：
【要約】【目的】アバランシェフォトダイオードの印加電圧をそのブレークダウン電圧以下に制限して、雪崩電流によるS/N劣化を防止し、同時に長寿命化する。【構成】抵抗を介して電圧源に接続されたアバランシェフォトダイオードの接続点に第2の電圧源を抵抗とダイオードを介して接続する。
請求項（抜粋）：
電圧源を抵抗素子を介してアバランシェフォトダイオードに接続するアバランシェフォトダイオードのバイアス回路において、上記抵抗素子とアバランシェフォトダイオードの接続点と第2の電圧源間に第2の抵抗素子を介してダイオードを接続したことを特徴とするアバランシェフォトダイオードのバイアス回路。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 31/10 B
, H01L 31/10 G
