特許
J-GLOBAL ID：200903004502964853
多結晶ダイヤモンド半導体素子
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
福村 直樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-017521
公開番号（公開出願番号）：特開平5-218458
出願日： 1992年02月03日
公開日（公表日）： 1993年08月27日
要約：
【要約】 (修正有)【目的】 整流特性などの半導体としての特性に優れたダイヤモンド半導体素子を提供すること。【構成】 基材1上に形成した多結晶ダイヤモンド薄膜2の面粗度Raを0.05μm以下にした表面3に、電極4,5を接合したこと。
請求項（抜粋）：
基材上に形成した多結晶ダイヤモンド薄膜の、その面粗度Raを0.05μm以下にした表面の一部または全面に、電極を接合してなることを特徴とする多結晶ダイヤモンド半導体素子。
IPC (2件)：
引用特許：
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