特許

J-GLOBAL ID：200903004506840784

シリコン単結晶及びその製造方法

発明者： 池田 直紀
出願人/特許権者： 住友金属工業株式会社
代理人 (1件)： 井内 龍二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-093299
公開番号（公開出願番号）：特開平8-290995
出願日： 1995年04月19日
公開日（公表日）： 1996年11月05日
要約：

【要約】【構成】 溶融液層6aと固体層6bの2層からなる原料中から引き上げられたシリコン単結晶3であって、酸素を5.0×1017〜1.3×1018atoms/cm3 の割合で、かつ炭素を4.8×1015〜8.5×1016atoms/cm3 の割合で含んでいるシリコン単結晶3。【効果】 完全性の高いDZ層を有すると共に、高いIG能力を有するシリコン基板を製造することができる。

請求項（抜粋）：

溶融液層と固体層の2層からなる原料中から引き上げられたシリコン単結晶であって、酸素を5.0×1017〜1.3×1018atoms/cm3 の割合で、かつ炭素を4.8×1015〜8.5×1016atoms/cm3 の割合で含んでいることを特徴とするシリコン単結晶。

IPC (5件)：

C30B 29/06 502 ,  C30B 15/00 ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/208

FI (5件)：

C30B 29/06 502 H ,  C30B 15/00 Z ,  C30B 15/20 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/208 P