特許

J-GLOBAL ID：200903004507838562

半導体装置

発明者： 立川 昭義
出願人/特許権者： 新日本製鐵株式会社
代理人 (1件)： 八田 幹雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-064938
公開番号（公開出願番号）：特開平7-273296
出願日： 1994年04月01日
公開日（公表日）： 1995年10月20日
要約：

【要約】【目的】 製造工程を簡略化することが可能となるFETと抵抗素子を同一基板上に形成した半導体装置を提供すること。【構成】 シリコン基板1上に、不純物がドープされていない半絶縁性の第1化合物半導体2と、不純物がドープされた第2化合物半導体層2,3が積層され、該第2化合物半導体層上にソース電極25、ドレイン電極26およびゲート電極27が設けられた電界効果トランジスタ11と、前記第2化合物半導体層を除去し、前記第1化合物半導体層を任意の幅と長さに形成し、その両端に電極28,29を設けた抵抗素子12と、よりなることを特徴とする半導体装置。

請求項（抜粋）：

シリコン基板上に、不純物がドープされていない半絶縁性の第1の化合物半導体層と、不純物がドープされた第2の化合物半導体層が積層され、該第2の化合物半導体層上にソース電極、ドレイン電極およびゲート電極が設けられた電界効果トランジスタと、前記第2の化合物半導体層を除去し、前記第1の化合物半導体層を任意の幅と長さに形成し、その両端に電極を設けた抵抗素子と、前記電界効果トランジスタと前記抵抗素子とを分離する素子分離領域と、前記電界効果トランジスタと前記抵抗素子を接続するための配線層と、よりなることを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 27/095 ,  H01L 27/04 ,  H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 29/80 E ,  H01L 27/04 R