特許

J-GLOBAL ID：200903004509736414

半導体装置の製造方法

発明者： 橋本 泰典
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 野口 繁雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-337617
公開番号（公開出願番号）：特開平10-163190
出願日： 1996年12月02日
公開日（公表日）： 1998年06月19日
要約：

【要約】【課題】 フィールド酸化膜の膜厚減少を抑えながら、バーズビークを縮小させる。【解決手段】 バーズビーク12をもつフィールド酸化膜10を形成し、耐酸化性マスクのシリコン窒化膜6を除去した後、バーズビーク12の部分に選択的に電子ビーム14を照射する。その後、パッド酸化膜4、フィールド酸化膜10及びバーズビーク12をフッ酸をエッチング液として同時にウエットエッチングし、バーズビーク12を縮小させる。

請求項（抜粋）：

以下の工程(A)から(C)を含んで素子分離領域を形成することを特徴とする半導体装置の製造方法。(A)半導体基板上に選択酸化法によりフィールド酸化膜を形成する工程、(B)前記耐酸化性マスクをエッチング除去した後、フィールド酸化膜のバーズビーク領域に選択的にエネルギー線を照射する工程、(C)バーズビークが縮小する程度に、前記パッド酸化膜、フィールド酸化膜及びバーズビークをフッ酸系のエッチング液で同時にエッチングする工程。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  H01L 21/263 ,  H01L 21/76

FI (3件)：

H01L 21/94 A ,  H01L 21/263 E ,  H01L 21/76 M