特許

J-GLOBAL ID：200903004516927241

トランジスタ構造受光素子

発明者： 上綱 秀樹
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-165027
公開番号（公開出願番号）：特開平8-032098
出願日： 1994年07月18日
公開日（公表日）： 1996年02月02日
要約：

【要約】【目的】光検出出力信号を増大し、トランジスタ構造受光素子の検出光波長領域の拡大、ならびに、高性能化に寄与できるトランジスタ構造受光素子を提供すること。【構成】上記目的は、ベースまたはコレクタ層の少なくとも一部を所定の波長以下の光を吸収できる物質で形成したバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ〜ベース電極間間隔を広げ、ベース層に光が直接入射できるようにしたことを特徴とするトランジスタ構造受光素子することによって達成することができる。

請求項１：

ベース層またはコレクタ層の少なくとも一部を所定の波長以下の光を吸収できる物質で形成したバイポーラトランジスタにおいて、エミッタ層〜ベース電極間間隔を広げ、ベース層に光が直接入射できるようにしたことを特徴とするトランジスタ構造受光素子。