位相シフトマスクの残留欠陥修正方法とその装置

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：林敬之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-064427
公開番号（公開出願番号）：特開平6-273918
出願日： 1993年03月23日
公開日（公表日）： 1994年09月30日
要約：

【要約】【目的】位相シフトマスクの位相シフター残留欠陥を修正する。【構成】集束イオンビームのスパッタリング効果を利用したマスク修正装置において、位相シフトマスクの位相シフター残留欠陥を修正するために、2次荷電粒子検出器を複数設け、前記複数の2次荷電粒子検出器の出力によって、位相シフター残留欠陥の3次元形状を認識し、欠陥の3次元形状に応じたイオン照射量のマップを作成し、そのマップに基づいてエッチング加工する。【効果】残留欠陥除去後のマスク表面が平坦になり、位相シフトマスクとして使用できるようになる。

請求項（抜粋）：

試料表面に形成されている位相シフター残留欠陥領域を含む領域を、集束イオンビームにて、偏向電極にて走査しながら照射し、複数の二次荷電粒子検出器にて、前記集束イオンビーム照射により前記試料から発生する二次荷電粒子を検出し、前記複数の二次荷電粒子検出器により検出された二次荷電粒子検出強度に基づき位相シフター欠陥の三次元形状を演算装置により認識し、前記演算装置により認識された位相シフター残留欠陥の試料平面位置に対応した前記位相シフター残留欠陥の厚さに基づいて集束イオンビーム照射の照射量マップを前記演算器にて作成し、前記集束イオンビーム照射の照射量マップに応じて、前記イオンビームを前記位相シフター残留欠陥に照射することを特徴とする位相シフトマスクの残留欠陥修正方法。

IPC (4件)：

G03F 1/08 , B23K 15/00 508 , H01L 21/027 , H01L 21/302

FI (2件)：

H01L 21/30 301 W , H01L 21/30 311 W

引用特許：

審査官引用 (3件)

特開平4-289861
特開平4-026846
特開昭64-015922

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