特許

J-GLOBAL ID：200903004522625540

プラズマ化学気相成長装置および半導体装置の製造方法

発明者： 斉藤 政良 ,  工藤 豊 ,  本間 喜夫
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立電子エンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-292463
公開番号（公開出願番号）：特開平9-134910
出願日： 1995年11月10日
公開日（公表日）： 1997年05月20日
要約：

【要約】【課題】低コストで信頼性の高い、被覆性と耐水性に優れた層間絶縁膜の形成装置及び半導体装置のシリコン酸化膜の製造方法を提供する。【解決手段】シリコンソースにアルコキシシランを用いて高耐水性膜を、0.5Torr以下の低圧プラズマCVDで高被覆性膜を形成し、高周波電力印加のタイミングを制御してプラズマダメージを低減する。

請求項（抜粋）：

反応室内で、0.5Torr 以下の低圧領域で、平行平板型電極間にプラズマを発生させ、絶縁膜を形成する機構を有することを特徴とするプラズマ化学気相成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/31 ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/768

FI (3件)：

H01L 21/31 C ,  C23C 16/50 ,  H01L 21/90 P