特許

J-GLOBAL ID：200903004539741579

希土類薄膜磁石の形成方法

発明者： 山下 慎次 ,  京良 裕行
出願人/特許権者： 株式会社安川電機
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-196976
公開番号（公開出願番号）：特開平5-021865
出願日： 1991年07月10日
公開日（公表日）： 1993年01月29日
要約：

【要約】【構成】 希土類薄膜磁石をスパッタ法によりガラス基板、石英基板およびシリコンウェハー等の基板等の上に形成する方法において、前記基板等と前記希土類薄膜磁石との間に金属層を形成する方法である。【効果】 ガラス基板、石英基板およびシリコンウェハー上に特性を損なうことなく、また剥離を生じずに希土類薄膜磁石を形成することができるので、特性の良い希土類薄膜磁石をMR素子やIC基板上に形成することができ、素子の小形化や高性能化を図ることができる。

請求項（抜粋）：

希土類薄膜磁石をスパッタ法によりガラス基板、石英基板およびシリコンウェハー等の基板等の上に形成する方法において、前記基板等と前記希土類薄膜磁石との間に金属層を形成することを特徴とする希土類薄膜磁石の形成方法。