特許

J-GLOBAL ID：200903004539893476

半導体装置

発明者： 山田 想 ,  浅井 市郎
出願人/特許権者： 富士ゼロックス株式会社
代理人 (1件)： 阪本 清孝 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-244896
公開番号（公開出願番号）：特開平8-088369
出願日： 1994年09月14日
公開日（公表日）： 1996年04月02日
要約：

【要約】【目的】 MOS型差動増幅器等を構成する一対のTFTにおいて、特性のばらつきが少ない構造を得る。【構成】 絶縁性基板上に形成された単結晶半導体あるいは非単結晶半導体から成る島状半導体層を動作層とする電界効果トランジスタによりMOS型差動増幅器を構成する半導体装置において、前記差動増幅器内の定電流回路又は差動対回路を構成する2つの電界効果トランジスタを一つの島状半導体層7に形成する。

請求項（抜粋）：

絶縁性基板上に形成された単結晶半導体あるいは非単結晶半導体から成る島状半導体層を動作層とする電界効果トランジスタによりMOS型差動増幅器を構成する半導体装置において、前記差動増幅器内の定電流回路又は差動対回路を構成する2つの電界効果トランジスタを一つの島状半導体層に形成することを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/8234 ,  H01L 27/088 ,  H01L 27/08 331 ,  H01L 27/146 ,  H01L 21/336

FI (4件)：

H01L 29/78 613 Z ,  H01L 27/08 102 B ,  H01L 27/14 C ,  H01L 29/78 616 A