特許
J-GLOBAL ID：200903004542905833
発光解析方法およびその装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
作田 康夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-142288
公開番号（公開出願番号）：特開2001-319955
出願日： 2000年05月10日
公開日（公表日）： 2001年11月16日
要約：
【要約】【課題】半導体表面から観察される発光形状が影響を受けるから発光しているトランジスタの位置を特定し、同時に発光形状を推定する手段を提供する。【解決手段】レイアウトデータから発光点周辺の3次元な配置関係を再現し、それに従って発光点を移動させ、それが実際の発光画像の形状と一致する位置を求め、さらに発光形状も変化させて一致の向上を図る。
請求項（抜粋）：
複数の配線層と複数のトランジスタ部とを形成した半導体デバイスに電圧を印加して前記半導体デバイス内で発生する発光の状態を解析する方法であって、前記複数の配線層のうちの上層配線層で反射または回折される前記半導体デバイスのトランジスタ部からの発光の光路を、該トランジスタ及び該配線のパターン情報に基づいて、反射または回折現象をシミュレーションして、発光しているトランジスタの特定を行うことを特徴とする発光解析方法。
IPC (2件)：
FI (5件)：
H01L 21/66 J
, H01L 21/66 C
, H01L 21/66 S
, H01L 21/66 Z
, G01R 31/28 Z
2G032AA00
, 2G032AC00
, 2G032AC08
, 4M106AA01
, 4M106AA02
, 4M106AB09
, 4M106BA10
, 4M106CA21
, 4M106CA38
, 4M106CA40
, 4M106DA15
