特許
J-GLOBAL ID：200903004543216802
カルコパイライト型太陽電池およびその製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
小山 有
, 片岡 修
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-145600
公開番号（公開出願番号）：特開2007-317868
出願日： 2006年05月25日
公開日（公表日）： 2007年12月06日
要約：
【課題】 デッドスペースが少なく発電効率に優れたカルコパイライト型の太陽電池を提供する。【解決手段】 カルコパイライト型太陽電池は、基板1の上部に形成された下部電極層(Mo電極層)2と、銅・インジウム・ガリウム・セレンを含む光吸収層(CIGS光吸収層)3と、光吸収層薄膜の上に、InS、ZnS、CdS等で形成される高抵抗のバッファ層薄膜4と、ZnOAl等で形成される上部電極薄膜(TCO)5とから1つの単位セルが形成され、さらに、単位セルを接続する目的で、上部電極と下部電極とを接続するコンタクト電極の一部が、後述する素子分離のスクライブ(第3のスクライブ)で形成された分割線と隣接するように形成される。【選択図】 図5
請求項１：
基板と、
前記基板の上部に形成された導電層を分割してなる複数の下部電極と、
前記複数の下部電極上に形成され複数に分割されたカルコパイライト型の光吸収層と、
隣接する前記下部電極の間から離間した一方の下部電極上に形成され且つ前記光吸収層の一部を改質することで当該光吸収層よりも導電性が高くなったコンタクト電極と、
前記コンタクト電極に隣接する箇所で複数に分割された透明な導電層である上部電極とを有することを特徴とするカルコパイライト型太陽電池。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (16件)：
5F051AA10
, 5F051CB15
, 5F051CB24
, 5F051DA03
, 5F051EA03
, 5F051EA09
, 5F051EA10
, 5F051EA11
, 5F051EA16
, 5F051FA02
, 5F051FA06
, 5F051FA12
, 5F051FA13
, 5F051FA15
, 5F051FA24
, 5F051GA03
出願人引用 (2件)
審査官引用 (5件)
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