特許
J-GLOBAL ID:200903004543333361

半導体装置の製造工程における平坦化方法および埋め込み方法並びに処理装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 花輪 義男
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平9-040586
公開番号(公開出願番号):特開平10-242138
出願日: 1997年02月25日
公開日(公表日): 1998年09月11日
要約:
【要約】【課題】 半導体製造工程における平坦化および埋め込みの新規な方法およびこれらに使用する処理装置を提供する。【解決手段】 下地層の表面にSOGがスピンコートされた半導体ウエハWを、サセプタに保持させた状態で回転させる。回転中心θは、半導体ウエハWの中心Oを通りかつ半導体ウエハWの主面に対してほぼ垂直な垂線Xの上であって半導体ウエハWの主面側に位置する。回転中心θを中心として、半導体ウエハWを回転させることにより遠心してSOGを半導体ウエハWの主面に向かって押し付けることにより、SOGの表面を平坦にする。
請求項(抜粋):
略平板状の被処理体の主面側に被膜材料からなる層を設ける工程と、前記被処理体を遠心して流動状態の前記被膜材料を前記被処理体の主面方向に押し付けることにより前記被膜材料からなる層の表面を平坦化する工程とを具備することを特徴とする半導体装置の製造工程における平坦化方法。
IPC (2件):
H01L 21/316 ,  H01L 21/31
FI (2件):
H01L 21/316 G ,  H01L 21/31 A

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