特許
J-GLOBAL ID：200903004543420299
太陽電池
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
中村 純之助
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-007253
公開番号（公開出願番号）：特開平9-199738
出願日： 1996年01月19日
公開日（公表日）： 1997年07月31日
要約：
【要約】【課題】高品質酸化膜を用いず、容易に太陽電池の表面再結合を低減し、変換効率を高める。【解決手段】太陽電池を構成している半導体1に対して仕事関数が異なる半導体3を、絶縁体または半導体1より禁制帯幅が大きい半導体2を介して配置し、表面の電子・正孔濃度をコントロールし、表面再結合の低減をはかる。
請求項（抜粋）：
半導体表面の少なくとも一部が、絶縁体あるいは太陽電池を構成する半導体よりも大きな禁制帯幅を有する半導体に被覆されている太陽電池において、上記絶縁体あるいは太陽電池を構成する半導体よりも大きな禁制帯幅を有する半導体上の一部または全部に半導体層を設け、上記半導体層の仕事関数が、絶縁体あるいは太陽電池を構成する半導体よりも大きな禁制帯幅を有する半導体を介して内側に接する半導体の仕事関数と、異なった値を有することを特徴とする太陽電池。
引用特許：
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