ZnO系基板及びZnO系基板の処理方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (4件)：三好秀和 , 寺山啓進 , 三好広之 , 伊藤市太郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-021503
公開番号（公開出願番号）：特開2009-179534
出願日： 2008年01月31日
公開日（公表日）： 2009年08月13日
要約：

【課題】結晶成長に適した品質の良い表面を有するZnO系基板及びZnO系基板の処理方法を提供する。【解決手段】 ZnO系基板の結晶成長側の主面表面のカルボキシル基又は炭酸基の存在を略0にするように構成している。また、カルボキシル基又は炭酸基の存在を略0にするために、結晶成長開始前にZnO系基板表面を酸素ラジカル、酸素プラズマ、オゾンのいずれかに接触させるようにしている。したがって、ZnO系基板表面の清浄化を高め、基板上に品質の良いZnO系薄膜を作製することができる。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

結晶成長を行う側の主面表面におけるカルボキシル基又は炭酸基の存在が略0となっていることを特徴とするZnO系基板。

IPC (2件)：

C30B 29/22 , H01L 21/306

FI (2件)：

C30B29/22 Z , H01L21/302 102

Fターム (18件)：

4G077AA03 , 4G077BB07 , 4G077BC60 , 4G077DB01 , 4G077ED05 , 4G077ED06 , 4G077EE03 , 4G077HA12 , 4G077TA04 , 4G077TA12 , 4G077TK01 , 4G077TK06 , 4K030BA47 , 4K030DA03 , 5F004AA14 , 5F004DA26 , 5F004DA27 , 5F004DB13

引用特許：

審査官引用 (2件)

ZnO系半導体素子
公報種別：公開公報出願番号：特願2006-160273 出願人：ローム株式会社, 国立大学法人東北大学
薄膜トランジスタの製法
公報種別：公開公報出願番号：特願2005-255734 出願人：カシオ計算機株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

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