特許

J-GLOBAL ID：200903004553347549

半導体ウェーハの保持具

発明者： 須藤 充 ,  中井 哲弥 ,  冨澤 憲治
出願人/特許権者： 三菱住友シリコン株式会社
代理人 (1件)： 須田 正義
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-058323
公開番号（公開出願番号）：特開2003-258069
出願日： 2002年03月05日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】 イオン注入時の遠心力によりウェーハに生じる応力集中を低減し、ウェーハに応力集中に伴って発生するとされるパーティクルを低減する。【解決手段】 保持具17の基部18はベース16に挿着され、ウェーハ11底面を受ける受け部19は基部に連設され、突起部21は受け部の先端に立設される。突起部のウェーハ外周縁に対向する面には、ウェーハ外周縁の一部を収容可能な凹溝21aが形成される。ウェーハの半径を決定するウェーハ中心を通るウェーハの縦断面におけるウェーハ第1外周縁の曲率半径をr1とし、ウェーハ平面視におけるウェーハ第2外周縁の曲率半径をr2とし、上記ウェーハ第1外周縁に対向する凹溝の曲率半径をR1とし、更に上記ウェーハ第2外周縁に対向する凹溝の曲率半径をR2とするとき、R1は1.0r1〜3.0r1の範囲に設定され、R2は1.0r2〜3.0r2の範囲に設定される。

請求項（抜粋）：

公転するベース(16)に挿着される基部(18)と、前記基部(18)に連設されウェーハ(11)底面を受ける受け部(19)と、前記ウェーハ外周縁に当接するように前記受け部(19)の先端に立設された突起部(21)とを有する半導体ウェーハの保持具において、前記突起部(21)の前記ウェーハ外周縁に対向する面に、前記ウェーハ外周縁の一部を収容可能な所定の曲率半径を有する凹溝(21a)が形成されたことを特徴とする半導体ウェーハの保持具。

IPC (2件)：

H01L 21/68 ,  H01L 21/265 603

FI (2件)：

H01L 21/68 N ,  H01L 21/265 603 D

Fターム (9件)：

5F031CA02 ,  5F031HA02 ,  5F031HA08 ,  5F031HA24 ,  5F031HA27 ,  5F031HA30 ,  5F031MA31 ,  5F031PA21 ,  5F031PA26