特許
J-GLOBAL ID：200903004553490082
TABリード型半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
江原 省吾
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-345764
公開番号（公開出願番号）：特開平5-183020
出願日： 1991年12月27日
公開日（公表日）： 1993年07月23日
要約：
【要約】【目的】 インナリードの幅及びリード間ピッチが小さい場合でも、インナリードとバンプ電極を位置ずれすることなく確実に熱圧着することのできるTABリード型半導体装置の製造方法を提供する。【構成】 絶縁フィルムに穿設した透孔内に導電パターンを延在させて複数のインナリードを形成し、上記透孔内に配置した半導体ペレットの複数のバンプ電極とインナリード延在端部とを1箇所ずつ順次ボンディングツールで熱圧着するに際し、熱圧着時における絶縁フィルムの透孔開口縁の温度分布が均一となるように、複数箇所のバンプ電極とインナリード延在端部とを任意の順序で熱圧着するようにしたものである。
請求項（抜粋）：
絶縁フィルムに穿設した透孔内に導電パターンを延在させて形成した複数のインナリードと、上記透孔内に配置した半導体ペレットの複数のバンプ電極とを重合配置し、重合部分を順次ボンディングツールで熱圧着するに際し、熱圧着時における絶縁フィルムの透孔開口縁の温度分布が略均一となるように、ボンディング順序を設定することを特徴とするTABリード型半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
H01L 21/603
, H01L 21/60 311
