特許
J-GLOBAL ID：200903004556809691
炭化珪素半導体装置の製造方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
伊藤 洋二
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-275129
公開番号（公開出願番号）：特開平10-125611
出願日： 1996年10月17日
公開日（公表日）： 1998年05月15日
要約：
【要約】【課題】 SiC基板にイオン注入を行った後の活性化アニールにおいて、アウトディフュージョンを防止するキャップ膜を形成して、十分なキャリア濃度を得る。【解決手段】 図1(a)の工程において、SiC基板100上にマスク材12を形成した後、N+ をイオン注入する。次に、図1(b)の工程において、基板温度を1500°Cまで昇温させて、SiH4 、C3 H8 、H2 ガスを流し、基板表面にキャップ膜としてのエピタキシャル膜20を形成しつつイオン注入した不純物であるNを活性化させる。この後、図1(c)に示すように、エピタキシャル膜20をドライエッチングあるいは酸化等により除去する。
請求項（抜粋）：
炭化珪素基板(100)にイオン注入法により形成された半導体領域(5)を有する炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記炭化珪素基板にドーパントをイオン注入した後、前記炭化珪素基板の表面にエピタキシャル膜(20)を形成し、このエピタキシャル膜をキャップ膜とした活性化アニールにより前記半導体領域を形成することを特徴とする炭化珪素半導体装置の製造方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/265 602 A
, C30B 29/36 A
