特許
J-GLOBAL ID：200903004559265587
半導体装置の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
内原 晋
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-269809
公開番号（公開出願番号）：特開平5-109780
出願日： 1991年10月18日
公開日（公表日）： 1993年04月30日
要約：
【要約】【目的】絶縁膜を反応性ドライエッチングして開口を形成するとき、ガリウム砒素基板表面に導入されるエッチング損傷を光化学反応により回復させる。【構成】エピタキシャル基板1に堆積した酸化シリコン膜2に反応性ドライエッチングにより開口を形成する。つぎに1.5〜4.0eVの光子エネルギーをもつ光を照射しながら300〜400°Cで熱処理して表面損傷を回復させる。【効果】300〜400°Cの低温熱処理により砒素の蒸散が抑えられる。一方、光照射により低温でも損傷回復を可能にする。さらに光照射により結晶欠陥と水素との結合が妨げられる。その結果100%近いキャリア回復率が得られた。
請求項（抜粋）：
ガリウム砒素基板の一主面上に絶縁膜を堆積する工程と、反応性ドライエッチングによりショットキゲート形成予定領域の前記絶縁膜を選択エッチングして開口を形成する工程と、前記開口を形成したのち1.5〜4.0eVのエネルギーをもつ光を照射しながら300〜400°Cの温度で熱処理する工程とを含む半導体装置の製造方法。
IPC (5件)：
H01L 21/338
, H01L 29/812
, H01L 21/268
, H01L 21/28
, H01L 21/324
