特許

J-GLOBAL ID：200903004561842516

半導体装置

発明者： 田中 長孝 ,  山下 浩史
出願人/特許権者： 株式会社東芝
代理人 (1件)： 則近 憲佑
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-327318
公開番号（公開出願番号）：特開平7-183301
出願日： 1993年12月24日
公開日（公表日）： 1995年07月21日
要約：

【要約】【構成】 本発明は、ラインの幅よりもライン間の距離の小さな微細なラインアンドスペースのパターンを有するものにおいて、ラインの終端においてパターンの中心部よりも隣合うライン間の距離を広くして構成した半導体装置である。【効果】 本発明によれば、リソグラフィー工程で起こる光強度分布によるラインの終端付近でのライン間の短絡を防止することができる。

請求項（抜粋）：

ラインの幅よりもライン間の距離の小さなラインアンドスペースパターンを有する半導体装置において、前記ラインの終端においては、前記ラインアンドスペースパターンの中心部に比べ、隣接するライン間の距離を広げたことを特徴とする半導体装置。

IPC (6件)：

H01L 21/3205 ,  H01L 21/027 ,  H01L 21/8242 ,  H01L 27/108 ,  H01L 29/762 ,  H01L 21/339

FI (5件)：

H01L 21/88 T ,  H01L 21/30 502 W ,  H01L 21/88 Z ,  H01L 27/10 325 N ,  H01L 29/76 301 A