特許

J-GLOBAL ID：200903004562986260

半導体発光・受光モジュールの形成方法

発明者： 瀧澤 照夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 天野 広
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-171217
公開番号（公開出願番号）：特開2000-012893
出願日： 1998年06月18日
公開日（公表日）： 2000年01月14日
要約：

【要約】【課題】半導体発光・受光モジュールの形成方法において、半導体基板のダイシング前の段階において、半導体基板上に半田バンプを形成することを可能にする。【解決手段】シリコン基板10上にメタル層11を介して半田バンプ12を形成した後、半田バンプ12を覆うように、半田バンプ12の酸化を防止するめための酸化防止膜13を形成する。この後、シリコン基板10をダイシングする。酸化防止膜13が形成されているため、ダイシングの際の冷却水によって、半田バンプ12が酸化することを防止することができる。このため、シリコン基板10のダイシング前の段階で半田バンプ12をシリコン基板10上に形成することができる。

請求項１：

半導体基板上に半田バンプを形成する第一の過程と、前記半田バンプを加熱し、溶融させる第二の過程と、溶融した前記半田バンプを覆うように酸化防止膜を形成する第三の過程と、前記半導体基板をダイシングする第四の過程と、前記酸化防止膜を除去する第五の過程と、からなる半導体発光・受光モジュールの形成方法。

IPC (4件)：

H01L 31/12 ,  G02B 6/42 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 21/60

FI (5件)：

H01L 31/12 D ,  G02B 6/42 ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 602 L ,  H01L 21/92 604 A

Fターム (13件)：

2H037BA02 ,  2H037BA11 ,  2H037DA03 ,  2H037DA11 ,  2H037DA16 ,  4M105AA05 ,  4M105AA16 ,  5F089BB02 ,  5F089BC21 ,  5F089BC22 ,  5F089CA20 ,  5F089DA20 ,  5F089EA01