特許

J-GLOBAL ID：200903004567794874

CVD装置

発明者： 丸谷 和正
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-342298
公開番号（公開出願番号）：特開平9-184074
出願日： 1995年12月28日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】CVD装置において、被成膜基板4をサセプタ5にセットする時に成膜室1内には必然的に数μmレベルのパーティクルが混入し、これが薄膜に付着したり、生成された薄膜中にパーティクルが混入するといった問題があった。【解決手段】成膜室1内に、被成膜基板4を保持するサセプタ5と、被成膜基板4の表面に原料ガスを垂直に供給する原料ガス導入口2と、サセプタ5の背面に設置され原料ガスを排出させるための原料ガス排気口3を具備してなるCVD装置において、サセプタ5周辺部と成膜室1の側壁との間に垂直に供給された原料ガスをサセプタ5周辺部からサセプタ5裏面に誘導するためのガス整流板8を設けたことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

成膜室内に、被成膜基板を保持するサセプタと、前記被成膜基板の表面に原料ガスを垂直に供給する原料ガス導入口と、前記サセプタの背面に設置され原料ガスを排出させるための原料ガス排気口を具備してなるCVD装置において、前記サセプタ周辺部と成膜室の側壁との間に前記垂直に供給された原料ガスを前記サセプタ周辺部からサセプタ裏面に誘導するためのガス整流板を設けたことを特徴とするCVD装置。

IPC (4件)：

C23C 16/44 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 ,  H01L 21/31

FI (4件)：

C23C 16/44 D ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/285 C ,  H01L 21/31 B