特許

J-GLOBAL ID：200903004572719473

マイクロエレクトニックデバイス及びその形成方法。

発明者： トニー ピー チアン ,  ビンギー サン ,  スラジ レンガラジャン ,  ピージュン ディン ,  バリー エル チン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 中村 稔 (外9名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-224020
公開番号（公開出願番号）：特開2001-102548
出願日： 2000年07月25日
公開日（公表日）： 2001年04月13日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、マイクロエレクトロニックデバイス及びその形成方法を提供する。【解決手段】 本発明の形成方法は、第1の電極を形成し;高密度プラズマの物理気相成長を利用して前記第1の電極上にTa, TaNx, W,WNx, Ta/TaNx,W/WNx及びこれらの組み合わせから選択された材料を有する接着層を堆積し;前記接着相上に誘電体層を堆積し;且つ前記誘電体層上に第2の電極を形成するステップを有する。本発明は、また第1の電極32;第2の電極34;第1と第2の電極間に設けられた誘電体層36;及び第1の電極と誘電体層間に設けられた接着層40を有し、前記接着層は、Ta, TaNx, W,WNx, Ta/TaNx,W/WNx及びこれらの組み合わせから選択された材料を有する。

請求項１：

マイクロエレクトニックデバイスを形成する方法であって、a)第1の電極を形成するステップ、b)高密度プラズマの物理気相堆積を利用して、前記第1の電極上に接着層を堆積するステップであって、前記接着層は、Ta, TaNx, W, WNx, Ta/TaNx, W/WNxまたはこれらの組み合わせから選択された材料を有し、c)前記接着層上に誘電体層を堆積するステップ、及びd)前記誘電体層上に第2の電極を形成するステップ、を有することを特徴とする方法。

IPC (10件)：

H01L 27/108 ,  H01L 21/8242 ,  C23C 14/06 ,  C23C 14/08 ,  C23C 14/34 ,  H01G 4/33 ,  H01G 4/10 ,  H01G 4/40 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/316

FI (10件)：

C23C 14/06 N ,  C23C 14/08 J ,  C23C 14/34 N ,  H01G 4/10 ,  H01L 21/203 S ,  H01L 21/316 Y ,  H01L 21/316 P ,  H01L 27/10 625 A ,  H01G 4/06 102 ,  H01G 4/40 A