特許

J-GLOBAL ID：200903004575087966

位置合わせマークの形成方法

発明者： 岡崎 邦広
出願人/特許権者： 岩手東芝エレクトロニクス株式会社 ,  株式会社東芝
代理人 (1件)： 大胡 典夫 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-344185
公開番号（公開出願番号）：特開2003-151873
出願日： 2001年11月09日
公開日（公表日）： 2003年05月23日
要約：

【要約】【課題】 位置合わせマークの形成を、手間をかけずに、位置ずれを起こすことなく、正確に行える位置合わせマークの形成方法を提供する。【解決手段】 半導体基板21の上部層22上に成膜した第1のフォトレジスト膜23をパターニングして主尺形成部24を有する第1のレジストパターン26を形成した後、第1のレジストパターン26を用いて上部層22を蝕刻し、主尺形成部24によって正方形状の主尺27を形成し、さらにその後、第1のレジストパターン26を除去した後、主尺27の上方に該主尺27と異なる大きさの正方形状の副尺35を、主尺27の対向する辺との離間距離が対辺同士で等しくなる位置に形成する方法で、第1のレジストパターン26を形成する際、第1のレジストパターンに主尺形成部24の四周を所定間隔を設けて囲う副尺35より大形状の溝25を形成する。

請求項（抜粋）：

基板の上部層上に成膜したレジスト膜をパターニングして主尺形成部を有するレジストパターンを形成した後、前記レジストパターンを用いて前記上部層を蝕刻し前記主尺形成部によって方形状の主尺を形成するようにした位置合わせマークの形成方法において、前記レジストパターンを形成する際、該レジストパターンに前記主尺形成部の四周を所定間隔を設けて囲う溝部を形成したことを特徴とする位置合わせマークの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00

FI (3件)：

G03F 7/20 521 ,  G03F 9/00 H ,  H01L 21/30 502 M

Fターム (8件)：

5F046EA04 ,  5F046EA12 ,  5F046EA13 ,  5F046EA15 ,  5F046EA18 ,  5F046EA23 ,  5F046EA26 ,  5F046EB01