半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：國分孝悦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-101756
公開番号（公開出願番号）：特開2002-299616
出願日： 2001年03月30日
公開日（公表日）： 2002年10月11日
要約：

【要約】【課題】厚い酸化膜からなる構造物上に低沸点の電極材料が存する構造のトランジスタでも、電極材料の飛散を惹起することなくレーザアニール処理を行うことを可能とする。【解決手段】電極形状のダミー構造物9を用いて不純物をイオン注入し、浅い接合11及び深い接合13を形成した後、トレンチ素子分離構造6が層間絶縁膜14で覆われた状態で、即ち多結晶シリコンやSi-Ge等の比較的低沸点の電極材料が存しない状態で半導体基板1にレーザアニール処理を施して不純物を活性化し、ソース/ドレイン16を形成する。その後、多結晶シリコンからなるダマシンタイプのゲート電極19を形成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板上に、厚い酸化物からなる第1の構造物を形成する第1の工程と、前記半導体基板上に、ほぼゲート電極形状の第2の構造物を形成する第2の工程と、前記第2の構造物をマスクとして、前記半導体基板の表層に不純物を導入する第3の工程と、前記第2の構造物を除去した後、酸化物に比べて沸点の低い材料が前記第1の構造物上に存在しない状態で前記半導体基板にレーザアニール処理を施し、前記不純物を活性化してソース及びドレインを形成する第4の工程と、前記半導体基板上にゲート絶縁膜を形成する第5の工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する第6の工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (7件)：

H01L 29/78 , H01L 21/336 , H01L 21/265 602 , H01L 21/265 604 , H01L 21/8238 , H01L 27/092 , H01L 29/43

FI (7件)：

H01L 21/265 602 C , H01L 21/265 604 G , H01L 29/78 301 P , H01L 27/08 321 E , H01L 29/62 G , H01L 29/78 301 G , H01L 29/78 301 L

Fターム (62件)：

4M104BB01 , 4M104CC01 , 4M104CC05 , 4M104DD03 , 4M104DD04 , 4M104DD26 , 4M104GG09 , 4M104GG10 , 4M104GG14 , 5F048AA01 , 5F048AA07 , 5F048AB03 , 5F048AC03 , 5F048AC08 , 5F048BA01 , 5F048BA16 , 5F048BB04 , 5F048BB05 , 5F048BB11 , 5F048BC06 , 5F048BE03 , 5F048BF02 , 5F048BF11 , 5F048BG13 , 5F048DA00 , 5F048DA25 , 5F140AA02 , 5F140AA28 , 5F140AA39 , 5F140AA40 , 5F140AB03 , 5F140AC36 , 5F140BA01 , 5F140BD11 , 5F140BE03 , 5F140BE10 , 5F140BF01 , 5F140BF04 , 5F140BF08 , 5F140BG04 , 5F140BG05 , 5F140BG08 , 5F140BG12 , 5F140BG28 , 5F140BG36 , 5F140BG40 , 5F140BG52 , 5F140BG53 , 5F140BH15 , 5F140BK02 , 5F140BK05 , 5F140BK13 , 5F140BK21 , 5F140CA03 , 5F140CB04 , 5F140CB08 , 5F140CB10 , 5F140CC01 , 5F140CC03 , 5F140CC08 , 5F140CE07 , 5F140CE18

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