特許

J-GLOBAL ID：200903004581963875

バイポーラトランジスタおよびその製造方法

発明者： 柳原 学
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 岩橋 文雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-109627
公開番号（公開出願番号）：特開2002-305206
出願日： 2001年04月09日
公開日（公表日）： 2002年10月18日
要約：

【要約】【課題】 ベース・コレクタ間容量を増やすことなく、ベース・コレクタ間にショットキーバリアダイオードの機能を有するバイポーラトランジスタおよびその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 基板1上にエピタキシャル成長によりコレクタ層3を形成し、コレクタ層3上にエピタキシャル成長によりベース層4を形成し、ベース層4上にエピタキシャル成長によりエミッタ層5を形成し、ベース層4上に金属を含むベース電極8を形成し、ベース電極8を加熱することによりベース電極8を構成する金属をベース層5中およびコレクタ層3中に拡散させる。

請求項（抜粋）：

基板と、前記基板上に形成されたコレクタ層と、前記コレクタ層上に形成されたベース層と、前記ベース層上に形成されたエミッタ層と、前記コレクタ層上に、前記ベース層を介して形成されたベース電極とを有し、前記ベース電極下における前記ベース層中および前記コレクタ層中に前記ベース電極に含まれる金属と同種の金属が含まれていることを特徴とするバイポーラトランジスタ。

IPC (2件)：

H01L 21/331 ,  H01L 29/737

Fターム (11件)：

5F003AP05 ,  5F003BA01 ,  5F003BB01 ,  5F003BB08 ,  5F003BC01 ,  5F003BC08 ,  5F003BF06 ,  5F003BG07 ,  5F003BM03 ,  5F003BP08 ,  5F003BP14