特許
J-GLOBAL ID：200903004583019112
プラズマ処理装置
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-047624
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263412
出願日： 1994年03月18日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：
【要約】【目的】 半導体ウエハおよび半導体デバイスに悪影響を及ぼすことなく、半導体ウエハを確実に安定して静電吸着により固定する。【構成】 下部電極3の上面に誘電体3aが形成されており、この誘電体3aの上部に被処理体である半導体ウエハ9を置き、静電吸着用DC電源5により下部電極3に正電圧を印加し、プラズマ処理により電圧が負となってしまい、誘電体3aによって下部電極3と電気的に絶縁され、負の電圧が下がらない半導体ウエハ9との電圧の差を大きくすることにより静電吸着力を大きくさせる。
請求項（抜粋）：
プラズマ処理を行う被処理体を固定する電圧が印加される電極と、前記電極の上面に形成され、前記被処理体と電極とを絶縁する絶縁体と、前記電極に正電圧を印加する正電圧印加手段とを設け、前記電極に印加された正電圧と前記被処理体との電位差により発生する静電気力により被処理体を固定させることを特徴とするプラズマ処理装置。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, C23F 4/00
, H01L 21/68
, H05H 1/46
